n型6H-SiCに対する化学エッチングおよび電極形成 : 結晶面方位依存性
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| ID | 1417 |
| フルテキストファイル | |
| その他のタイトル（欧） | Chemical Etching Rate, Schottky Barrier Height, and Specific Contact Resistance Dependence on Crystal Face in n-Type 6H-SiC
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| 作成者 |
大坪 睦之
瀬見 和彦
宮本 孝志
山本 晃平
池内 博之
千葉 哲也
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| DOI[info:doi/] | |
| 掲載誌名 |
和歌山大学教育学部紀要. 自然科学
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| ISSN | 13424645
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| NCID | AN00257977
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| 巻 | 54
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| 開始ページ | 33
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| 終了ページ | 41
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| 並び順 | 07
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| 発行日 | 2004-02-27
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| 本文言語 |
英語
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| 抄録(欧) | We investigated how the crystallographic face polarity in n-type 6H-SiC affects the chemical etching rates, Schottky barrier heights, and specific contact resistance. A solution of HF: HNO_3 (1:1) chemically attacked only the (0001) Si-faced material after exposure to an artificial quartz lump. The etching was diffusion limited and the etched depth increased in proportion to the square root of the etching time. The Ni Schottky barrier heights were larger for the (0001) Si-face than for the (0001^^-) C-face. The specific contact resistance values of the Ni
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| 資料タイプ |
紀要論文
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| 著者版フラグ |
出版者版
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| アクセション番号 | KJ00004258257
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