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Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

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ID 4323
フルテキストファイル
jjap.59.SGGK16.pdf 1000 KB
作成者
Ohtsuka Nobuyuki
小田 将人 システム工学部 和歌山大学研究者総覧
惠下 隆 産学連携イノベーションセンター 和歌山大学研究者総覧
田中 一郎 システム工学部
伊東 千尋 システム工学部 和歌山大学研究者総覧 researchmap
掲載誌名
Japanese Journal of Applied Physics
ISSN
13474065
NCID
AA12295836
巻
59
号
SG
開始ページ
SGGK16-1
終了ページ
SGGK16-4
発行日
2020-02-28
本文言語
英語
資料タイプ
学術雑誌論文
著者版フラグ
著者版
著作権表記
This is an author-created, un-copyedited version of an article published in [Japanese Journal of Applied Physics]. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at [10.35848/1347-4065/ab6e07].
関連URL
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