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Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

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ID 4323
フルテキストファイル
jjap.59.SGGK16.pdf 1000 KB
作成者
Ohtsuka, Nobuyuki システム工学部
小田 将人 システム工学部 和歌山大学研究者総覧 researchmap
惠下 隆 researchmap
田中 一郎 システム工学部
伊東 千尋 システム工学部 researchmap
外部DOI [info:doi/]
10.35848/1347-4065/ab6e07
CRID
1050569103935143296
掲載誌名
Japanese Journal of Applied Physics
出版者
Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
ISSN
13474065
NCID
AA12295836
巻
59
号
SG
開始ページ
SGGK16-1
終了ページ
SGGK16-4
発行日
2020-02-28
本文言語
英語
資料タイプ
学術雑誌論文
著者版フラグ
著者版
著作権表記
This is an author-created, un-copyedited version of an article published in [Japanese Journal of Applied Physics]. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at [10.35848/1347-4065/ab6e07].