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Japanese Journal of Applied Physics
59
SG
Japanese Journal of Applied Physics 59 SG
並び順
ID (昇順)
ID (降順)
更新日 (昇順)
更新日 (降順)
ID (昇順)
Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation
作成者
Ohtsuka, Nobuyuki
/
小田 将人
/
惠下 隆
/
田中 一郎
/
伊東 千尋
/
掲載誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
59
号
SG