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惠下 隆

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Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation
作成者 Ohtsuka, Nobuyuki/ 小田 将人/ 惠下 隆/ 田中 一郎/ 伊東 千尋/
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
巻 59
号 SG