III-V族化合物半導体の原子層エピタキシーに関する研究
ダウンロード数 :? 件（過去1年分の合計）
| ID | 4370 |
| フルテキストファイル | |
| その他のタイトル（欧） | A study on Atomic Layer Epitaxy of III-V Compound Semiconductors
|
| 作成者 |
大塚 信幸
|
| Self DOI [info:doi/] | |
| 開始ページ | 1
|
| 並び順 | 103
|
| 発行日 | 2021-03-25
|
| 本文言語 |
日本語
|
| 資料タイプ |
学位論文
|
| 著者版フラグ |
博士論文全文を含む
|
| 学位授与番号 | 甲第103号
|
| 学位授与年月日 | 2021-03-25
|
| 学位名 | 博士（工学）
|
| 学位授与機関 | 和歌山大学
|
