III-V族化合物半導体の原子層エピタキシーに関する研究
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| ID | 4370 |
| FullText File | |
| Title Alternative | A study on Atomic Layer Epitaxy of III-V Compound Semiconductors
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| Authors |
Otsuka, Nobuyuki
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| Self DOI | |
| Start Page | 1
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| Order | 103
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| Published Date | 2021-03-25
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| Language |
jpn
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| Content Type |
Thesis or Dissertation
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| Text Version |
ETD
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| Grant ID | 甲第103号
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| Granted Date | 2021-03-25
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| Degree Name | 博士（工学）
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| Grantor | 和歌山大学
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